Ячейки динамической памяти (DRAM – dynamic random access memory) можно представить в виде микроконденсаторов, способных накапливать заряд на своих обкладках (необходимо постоянно подзаряжать).
Оперативная память в компьютере размещается на стандартных панельках, называемых модулями (“линейки»).
Модули оперативной памяти вставляют в соответствующие разъемы на материнской плате.
Конструктивно модули памяти имеют два исполнения – однорядные (SIMM-модули) и двухрядные (DIMM-модули).
Основными характеристиками модулей оперативной памяти являются объем памяти и время доступа.
Время доступа показывает, сколько времени необходимо для обращения к ячейкам памяти – чем оно меньше, тем лучше. Время доступа измеряется в миллиардных долях секунды (наносекундах, нс). Объём Мб или Гб.
Кэш-память:
Предназначена для оптимизации работы компьютера.Это как бы «сверхоперативная память».
Когда процессору нужны данные, он сначала обращается в кэш-память, и только если там нужных данных нет, происходит его обращение в оперативную память.
«Удачные» обращения в кэш-память называют попаданиями в кэш.
Процент попаданий тем выше, чем больше размер кэш-памяти, поэтому высокопроизводительные процессоры комплектуют повышенным объемом кэш-памяти.
Нередко кэш-память распределяют по нескольким уровням.
Кэш первого уровня (L1) выполняется в том же кристалле, что и сам процессор. Объём обычно невелик — не более 128 Кбайт. самая быстрая, поскольку ближе всего к процессору.
Кэш второго уровня (L2) находится либо в кристалле процессора, либо в том же узле, что и процессор, хотя и исполняется на отдельном кристалле. В современных многоядерных процессорах является памятью раздельного пользования — при общем объёме кэша в 8 Мбайт на каждое ядро приходится по 2 Мбайта.
Кэш-память третьего уровня (L3) выполняют на быстродействующих микросхемах типа SRAM и размещают на материнской плате вблизи процессора. Ее объемы могут достигать нескольких Мбайт, но работает она на частоте материнской платы.
Ячейки статической памяти (SRAM – static random access memory) можно представить как электронные микроэлементы – триггеры, состоящие из нескольких транзисторов.
В триггере хранится не заряд, а состояние (включен/выключен), поэтому этот тип памяти обеспечивает более высокое быстродействие, хотя технологически он сложнее и, соответственно, дороже.
ПЗУ и система BIOS
Постоянная память (ПЗУ, англ. ROM, Read Only Memory — память только для чтения) — энергонезависимая память, используется для хранения данных, которые никогда не потребуют изменения. Содержание памяти специальным образом зашивается в устройстве при его изготовлении для постоянного хранения. Из ПЗУ можно только читать.
Комплект программ, находящихся в ПЗУ, образует базовую систему ввода-вывода (BIOS – Basic Input Output System).
Основное назначение программ этого пакета состоит в том, чтобы проверить состав и работоспособность компьютерной системы и обеспечить взаимодействие с клавиатурой, монитором, жестким диском и дисководом гибких дисков.
Статьи к прочтению:
- Стоимость: 40 мин. — 3000 руб. 2 героя дед мороз и снегурочка.
- Стоимость образовательных услуг и порядок их оплаты
Точка Фильм Юрия Мороза 2006
Похожие статьи:
-
Внешние запоминающие устройства, виды взу и физические принципы работы.
Запоминающее устройство большой емкости с относительно низким быстродействием. Целостность содержимого ВЗУ не зависит от того, включен или выключен…
-
Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми…